ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ


ПОСТАНОВЛЕНИЕ


О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы


8 сентября 2011 г.

№ 763

г. Москва


Правительство Российской Федерации постановляет:
Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. № 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, № 51, ст. 6361; 2009, № 9, ст. 1130).

Председатель Правительства
Российской Федерации
В.Путин

Изменения,
которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(утв. постановлением Правительства РФ от 8 сентября 2011 г. № 763)

1. В паспорте Программы:

а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции:

"

Государственные заказчики Программы - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации, Федеральное космическое агентство, Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю, Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом

";

б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей:

в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить";

в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13";

в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117" заменить цифрами "114";

в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:

в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";

в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";

в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656;

г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности:

в абзаце тринадцатом цифры "198577,2"  заменить цифрами "203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";

в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".

2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".

3. В разделе IV:

а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";

б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71";

в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3";

г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";

д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656";

е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500".

4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить словами "Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю".

5. В разделе VI:

а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4";

б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9";

в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";

г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54";

д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".

6. Приложения № 1  -  4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:

"Приложение № 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(в редакции постановления Правительства РФ
от 8 сентября 2011 г. № 763)

Индикатор и показатели
реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

    Единица измерения 2007 год 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год
Индикатор
Достигаемый технологический уровень электроники мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045
Показатели
Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300
Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом) - 3 - 5 16 - 20 80 - 90 125 - 135 179 - 185 210 230 250 260 - 270
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) - 1 8 10 14 30 30 31 31 42
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - 1 1 1 4 4
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - 1 3 3 10
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - 1 1 2 2 3 5 5 7
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) - - 1 5 8 18 21 25 25 96
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом) - - - - - - 1 1 1 1
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - - 1 1 9
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) - - - - - - - 1 1 8
Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом) - 1 3 9 9 - 10 10 - 12 12 - 14 14 - 16 16 - 18 20 - 22
Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) - 4 11 - 12 16 - 20 22 - 25 36 - 40 41 - 45 45 - 50 50 - 55 55 - 60
Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом) - 450 1020 -1050 1800 - 2200 3000 - 3800 3800 - 4100 4100 - 4400 4400 - 4700 4700 - 5000 5000 - 6000

Приложение № 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(в редакции постановления Правительства РФ
от 8 сентября 2011 г. № 763)

Перечень
мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
Мероприятия 2008 - 2015 годы - всего В том числе Ожидаемые результаты
2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2012 год 2013 год 2014 год 2015 год
    I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
    Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
1. Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы * * * *                         создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы * для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
2. Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона *     * * * * *         создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы * для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
3. Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-эпитаксиальных структур * * *                         создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)
4. Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур *     * * * * *         создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
5. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" * * *                         создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
6. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" *     * * *                 создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
7. Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий" * * *                         разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
8. Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков *     * * * * *         создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
9. Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры * * *                         создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
10. Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры *         * *                 создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
11. Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X- , C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью * * *                         создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
12. Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов *     * * *                 создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов
13. Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов *         * *                 создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
14. Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов *     *                         создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
15. Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов *         * *                 создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L- диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
16. Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства * * *                         разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании
17. Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения * * *                         создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
18. Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения *         * *                 разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
19. Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами * * *                         создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
20. Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа *         * *                 создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
21. Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных
p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования
* * *                         создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
22. Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств * * * * * * * * * создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)
23. Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия * * * * * * * * * создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30 - 40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)
24. Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления *             * * * * * исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
25. Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы *             * * * * * создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе
    Всего по направлению 1     * * * * * * * * *    
    Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
26. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм * * *                         создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
27. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на